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你们要的几款典型产品介绍,来啦!

2022.04.28

IGBT单管:多种先进的IGBT技术平台:平面非穿通,沟槽非穿通,平面场截止,沟槽场截止;从经济和性能方面为用户提供灵活的选择方案。

IGBT模块:采用先进的平面场截止技术,具有地饱和压降和高速开关特性,适合焊机、电磁感应加热等高频电源应用。

IPM:DIP-25 IPM智能功率模块,集成IGBT三相逆变电路和过压、欠压、过流、过热等保护电路。

高压VDMOS:成熟的高压平面VDMOS产品。平面高压MOS,电压600~1500伏特,应用于逆变器、充电器以及高压开关电源等领域。

以下是几款典型的产品介绍:

1、JNG20T60FS TO-220F


产品介绍:
沟槽NPT工艺,方形RBSOA,软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升,广泛应用于各类逆变及开关应用。20A 600V IGBT产品有TO-220F封装、TO-220C封装、TO-247封装、TO-263封装。

2、JNG40T60HS TO-247
产品介绍:

沟槽NPT工艺,1.8V低导通压降,方形RBSOA,软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升,广泛应用于各类 逆变及开关应用。40A 600V IGBT产品有TO-247封装和TO-3P-3(内绝缘)封装。

3、JNG15T120HS TO-247
产品介绍:

沟槽NPT工艺,1.9V低导通压降,方形RBSOA,软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升,广泛应用于各类感应加热、逆变及开关应用。15A 1200V IGBT产品有TO-247封装、TO-220C封装、TO-220F封装、TO-3P-3(内绝缘)封装。

4、JNG25N120HS TO-247
产品介绍:

平面NPT工艺,优秀的短路能力,方形RBSOA,软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升,广泛应用于各类变频及开关应用。

5、JNG40T120HS TO-247
产品介绍:

沟槽NPT工艺,2.2V低导通压降,方形RBSOA,软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升,广泛应用于各类感应加热、逆变及开关应用。40A 1200V IGBT产品有TO-247封装、TO-247-3(内绝缘)封装。

6、JNG50N120LS TO-264
产品介绍:

平面NPT,优秀的短路能力,方形RBSOA,软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升,广泛应用于各类变频及开关应用。50A 1200V IGBT产品有TO-264封装、TO-247PLUS封装。

7、JNG75T120LS TO-264
产品介绍:

沟槽NPT,1.75V低导通压降,方形RBSOA,软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升,广泛应用于各类感应加热、逆变及开关应用。75A 1200V IGBT产品有TO-264封装和TO-247PLUS封装。

8、JNG15N120AI TO-3P-3(内绝缘)
产品介绍:

平面NPT,内绝缘封装,优秀的短路能力,方形RBSOA,软电流关断波形。较低的开关损耗带来系统能效提升,广泛应用于各类变频及开关应用。15A 1200V IGBT产品有TO-247封装、TO-220C封装、TO-220F封装、TO-3P-3(内绝缘)封装。

9、JFQM3N150C TO-3PH
产品介绍:

平面MOS工艺,卓越EMI优化设计及EAS能力,低导通电阻,广泛应用于各种开关电源电路。3A 1500V MOSFET产品有TO-3PH封装和TO-220F-3封装。

10、JNG30T60IPD1S1 DIP-25
产品介绍:


IPM工艺,内置低损耗600V 30A IGBT 三相逆变器;增强型输入滤波,高速600V电平转换;电源欠压保护,短路(过流)保护;兼容3.3V & 5V输入信号,高电平有效;下桥臂IGBT发射极输出;内置自举二极管。

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